SVILUPPO ED IMPLEMENTAZIONE DI MODELLI DI CNTFET PER APPLICAZIONI DIGITALI

I nanotubi di carbonio, comunemente denominati CNTs (Carbon nanotubes), hanno suscitato un grande interesse nel panorama scientifico negli ultimi anni grazie alle loro notevoli proprietà che li fanno essere dei futuri candidati per l’integrazione a grande scala nella microelettronica. È scopo di questa tesi lo studio delle proprietà di questi CNTFETs con la quale verrà messo in discussione se tali transistori potranno sostituire in futuro i tradizionali transistori FET in silicio su cui attualmente si fonda l’industria dei semiconduttori. In seguito, dopo aver delineato le principali proprietà fisiche e come queste determinano le proprietà elettriche dei nanotubi di carbonio, viene sviluppato un modello su un simulatore che permette di simulare il comportamento di questi transistori in circuiti elettronici di qualsivoglia tipo.