ANALISI DI UN BIOSENSORE A EFFETTO DI CAMPO PER LA RILEVAZIONE DEL FATTORE DI CRESCITA VASCOLARE ENDOTELIALE IN PAZIENTI AFFETTE DA CANCRO CERVICALE O OVARICO

Analisi di un biosensore FET in nanofili di silicio per il rilevamento del VEGF, fattore di crescita vascolare endoteliale. L’elaborato parte dal concetto di biosensore, affrontandone le principali caratteristiche, tipologie e applicazioni nel settore biomedico. Al fine di comprendere il funzionamento dei dispositivi FET, verrà approfondita la struttura e richiamato il principio di funzionamento del MOSFET, tipologia di transistor a effetto di campo ampiamente utilizzata. In seguito il focus è posto sui biosensori SiNW-FET, mettendo in evidenza i vantaggi nell’utilizzo di questi nanomateriali per la fabbricazione dei dispositivi. L’analisi procede con la descrizione di un transistor basato su nanofili di silicio che può essere utilizzato come metodo di diagnosi del cancro; in particolare il dispositivo è stato testato per la rilevazione delle concentrazioni del fattore di crescita vascolare endoteliale in pazienti affette da cancro cervicale e cancro ovarico a vari stadi. Dopo una descrizione della malattia, vengono discussi i metodi di fabbricazione, di modifica del dispositivo e le prestazioni per il rilevamento del VEGF. L’accordo tra i risultati attesi e quelli ottenuti, mostra la correlazione tra i livelli di VEGF e lo stadio del cancro e dunque l’utilità del biosensore come metodo di diagnosi delle neoplasie e per ulteriori applicazioni future.